半导体器件基础(chǔ),一(yī)本难得的半导体(tǐ)书,费了很大劲才找(zhǎo)到(dào)的中文(wén)书。
《半导体(tǐ)器件基础(chǔ)》不仅是一(yī)本很好的教科书,也很适合作为(wéi)微电(diàn)子和(hé)相关领域的工(gōng)程技术人员的参考书。作者(zhě)Betty Lise Arldexson博士是(shì)美国俄亥俄州(zhōu)立(lì)大学工学院的电机工(gōng)程教授(shòu),讲授(shòu)多门本科生和研究生(shēng)的课程。曾经(jīng)在工业界工作过九年,有(yǒu)丰富的研究经验,目前正在从事用于通讯、雷达和(hé)信息处理的光子学(xué)器(qì)件研究。因此,与实际器(qì)件应用紧密结(jié)合也是《半导体器件基础》的一个(gè)特色。
前言
第1部分 半导休材(cái)料
第1章 半导体中电子的(de)能量(liàng)和状态
第2章 均匀半导体
第(dì)3章 均匀半(bàn)导体中的电流
第4章 非均匀半导体
第1部分补充内(nèi)容 材(cái)料
补充(chōng)内容 1A 量子力学介绍
补充内容 1B 关于材料的补充问题
第2部分 二极(jí)管
第5章 原型同质pn结
第6章 二极管的补充说明
第2部分补充内容:二极(jí)管
第3部分 场效应(yīng)晶(jīng)体管
第(dì)7章(zhāng) MOSFET
第8章 FET的补充分析
第3部分补充内(nèi)容:场效应晶(jīng)体管
第4部分 双极(jí)结型(xíng)晶体管(guǎn)
第9章 双极结(jié)型(xíng)器(qì)件:静(jìng)电学特性
第10章 双极晶体管的(de)时变分析
第4部(bù)分补充内容:双(shuāng)极(jí)器件
第5部分 光电(diàn)器件
第11章(zhāng) 光点器件
附录
附(fù)录A 重要常数
附录B 符号表
附录C 制造
附录D 态密度函数,态密度有效质量,电导率(lǜ)有(yǒu)效(xiào)质量(liàng)
附录E 一些有用的积分公式
附录F 有用的公式
附录G 推荐阅读的文献
