HSPICE 2010简（jiǎn）体中文（wén）版是一款由（yóu）Synopsys公司推出的专业EDA设计工具，主要适用于一些电路设（shè）计工程师使（shǐ）用，它为使用者提供了丰富实用的EDA设计工具，并（bìng）可以与其它专业软（ruǎn）件兼（jiān）容，比如（rú）Cadence，Workview等。该软件可（kě）以大（dà）大地提高电路仿（fǎng）真的精（jīng）准度，这个是较为经（jīng）典的一个版本，需要此款工具的朋友们欢迎前来下载使用（yòng）。
HSPICE 可与许多主要（yào）的EDA 设计（jì）工（gōng）具，诸如Cadence，Workview 等兼容，能提（tí）供许多（duō）重要的针对集（jí）成（chéng）电路性能（néng）的电路仿真和设计（jì）结果（guǒ）。采用（yòng）HSPICE 软件可（kě）以在直流到高于100MHz 的（de）微波频率（lǜ）范围内对电路（lù）作精确的仿（fǎng）真、分析和优化。在实际应用中， HSPICE能（néng）提供关键性的电（diàn）路（lù）模拟（nǐ）和设计方案，并且应用HSPICE进行电（diàn）路模（mó）拟（nǐ）时，其电路规模仅取决于用户计算机的（de）实际存储器容（róng）量。
- 准确度
金标准精确（què）的电路（lù）仿（fǎng）真。
粗放型的支持最（zuì）准确（què），最（zuì）广阔的一套行业标（biāo）准和专有的仿真模型。
- 性能
HSPICE刚刚得到更（gèng）快了（le）! Synopsys公司取得（dé）了HSPICE一个性能（néng）领（lǐng）先的单人和多核计算机上
显著加速细胞特性的应用，大（dà）型（xíng）提取（qǔ）的（de）网（wǎng）表（biǎo），信号完整性和65 nm设计。
- 设（shè）计产（chǎn）量 - 过程变（biàn）化和设备可靠（kào）性仿真
流程和互连（lián）变异 - 型号（hào）器件和互连线的变化
变化块 - 强大而（ér）灵活（huó）的机制来定义工艺变化的影响。
AC&DCMatch - 本（běn）地参（cān）数不匹配影响效（xiào）率的统计模拟。
“智能”蒙地卡罗 - 即（jí）运行速（sù）度（dù）比传统蒙特卡罗技术快好几倍的通用（yòng）统计模拟（nǐ）。
MOSRA器件的（de）可靠性分（fèn）析 - 仿真HCI和NBTI设备老化影响
- 董事会和包（bāo）装设计完（wán）整性分析
增（zēng）强型W-元（yuán）素和S参数模拟信（xìn）号完整性问题和支持SI分析。
支持（chí）大规模的500端口S参数
- 射（shè）频和高（gāo）速（sù）仿（fǎng）真
最佳的（de）RF模拟器PLL和（hé）VCO应用
最精确的射频（pín）仿真器
最（zuì）快的射（shè）频仿（fǎng）真器
高容量的射频仿真，10000+晶体管既（jì）谐波平衡和射击牛顿算法
全（quán）面的解决方案模（mó）拟（nǐ）低噪声（shēng）放大（dà）器，功率放大器，滤（lǜ）波器（qì），AGC电路中，振荡（dàng）器，混频器，乘法器，调（diào）制器，解调器，和压控振荡器（qì）。
Hspice是一个模拟（nǐ）电路仿真软件（jiàn），在给定电路结构和（hé）元器件参数的（de）条件下（xià），它可（kě）以模拟和
计算电路的各（gè）种（zhǒng）性（xìng）能。用Hspice分析一个电路，首先要做（zuò）到以下三点：
(1) 给定电路的结构(也就是电路（lù）连（lián）接关系)和元器件参数（shù）(指定元器件的（de）参数库);
(2) 确定分析电路特性所需的分析内容和分析类（lèi）型（xíng）(也就是加入激励源和设置分析（xī）类型);
(3) 定（dìng）义（yì）电路的输（shū）出信息和（hé）变量。
Hspice规定了一系列输入，输出语句（jù），用这些语句对（duì）电（diàn）路仿真的标（biāo）题（tí），电路连（lián）接方式，组成电路（lù）元器件的名称（chēng），参数，模型，以及分析（xī）类型，以及输（shū）出变量等（děng）进行（háng）描述（shù）。
一 Hspice输（shū）入（rù）文件的语句和格式
Hspice输入文件包括电路标（biāo）题语（yǔ）句，电路描（miáo）述语句，分析类（lèi）型描述语句，输出（chū）描述语句，注释语句，结束语（yǔ）句等六（liù）部分（fèn）构成，以下逐一（yī）介绍：
1 电路的标题语句
电路的标题语句是（shì）输入（rù）文件的第（dì）一行（háng），也成为标题行，必须设置。它是由任意（yì）字（zì）母和字符串组成的说明语句，它在（zài）Hspice的title框中显示。
2 电路描述语句
电（diàn）路描述（shù）语句由定义电路拓扑结构和元（yuán）器件参数的元器件（jiàn）描述（shù）语句，模（mó）型描述语句和（hé）电源语句等组成，其位置（zhì）可（kě）以在标题语句（jù）和结束语句（jù）之（zhī）间的任何地方。
(1) 电路元器件
Hspice 要求电路元器件名称（chēng）必须以规定的字母开（kāi）头，其后可以是任意数字（zì）或字母。除了名称之外，还应指定（dìng）该元器件所接（jiē）节点编号和（hé）元件（jiàn）值（zhí）。
电阻（zǔ），电容（róng），电感（gǎn）等无源（yuán）元件描述（shù）方式如下：
R1 1 2 10k (表示节点1 与2 间有电（diàn）阻R1，阻值为（wéi）10k 欧)
C1 1 2 1pf (表（biǎo）示（shì）节点1 与2 间有电容C1，电容（róng）值为1pf)
L1 1 2 1mh (表示节点1 与2 间有电感L1，电感值为1mh)
半导体（tǐ）器件包括（kuò）二极管，双极性晶（jīng）体管，结形场效应晶体管，MOS 场效应晶（jīng）体管等（děng），这些半导体器件的特性方程通常是（shì）非（fēi）线性的，故也成为非线（xiàn）性有源元件（jiàn）。在电路CAD工具（jù）进行电路仿真时，需要用（yòng）等效的（de）数学模型来描述这些器（qì）件（jiàn）。
(a) 二（èr）极管描述语句（jù）如（rú）下：
DXXXX N+ N- MNAME
D 为元（yuán）件名（míng）称，N+和N-分别为二（èr）极管（guǎn）的正（zhèng）负节点，MNAME 是模型（xíng）名 ，后面为可（kě）选项（xiàng）：
AREA 是面积因子（zǐ），OFF时（shí）直流（liú）分析所加的初（chū）始条件，IC=VD 时瞬态分析的初始条件。
(b)双极型（xíng）晶体管
QXXXX NC NB NE MNAME
Q 为元件名称（chēng），NC NB NE 分别是集电（diàn）极，基极，发射极和衬底的节点。缺省时（shí），NS 结地。后面可选项与二极管的意义相同（tóng）。
(c)结型场效应晶体管
JXXXX ND NG NS MNAME
J为元件（jiàn）名称，ND NG NS为漏，栅（shān），源的节点，MNAME 是模型名 ，后面为可选项（xiàng）与二极管（guǎn）的意义相同。
(d)MOS 场效（xiào）应晶体管
MXXXX ND NG NS NB MNAME
M为元件（jiàn）名称（chēng），ND，NG，NS，NB 分别是漏，栅，源和（hé）衬底节点。MNAME 是模型名，L沟（gōu）道长，M为沟道宽。
(2) 元器件（jiàn）模型
许（xǔ）多元（yuán）器（qì）件都需用（yòng）模型语句来（lái）定义其（qí）参数值（zhí）。模（mó）型语句不同于元器件描述语句，它（tā）是以“.”开头的点语句，由（yóu）关键字（zì）.MODEL，模型（xíng）名称，模（mó）型类型和一（yī）组参数组成。 电阻，电容，二（èr）极管，MOS 管，双极管（guǎn）都可设置（zhì）模型语（yǔ）句（jù）。这（zhè）里我们仅介（jiè）绍MOS 管的模型语句，
其（qí）他的（de）可参考（kǎo）Hspice帮助手（shǒu）册。
MOS 场效应（yīng）晶体管模型（xíng）
MOS 场效应晶体管是集成电路中常用的器件，在Hspice 有20 余种模型（xíng），模型参数有40――60 个，大多是工艺参数。例如一种MOS 模型如下：
.MODEL NSS NMOS LEVEL="3" RSH="0" TOX="275E-10" LD=.1E-6 XJ=.14E-6
+ CJ="1".6E-4 CJSW="1".8E-10 UO="550" VTO="1".022 CGSO="1".3E-10
+ CGDO="1".3E-10 NSUB="4E15" NFS="1E10"
+ VMAX="12E4" PB=.7 MJ=.5 MJSW=.3 THETA=.06 KAPPA=.4 ETA=.14
.MODEL PSS PMOS LEVEL="3" RSH="0" TOX="275E-10" LD=.3E-6 XJ=.42E-6
+ CJ="7".7E-4 CJSW="5".4E-10 UO="180" VTO="-1".046 CGSO="4E-10"
+ CGDO="4E-10" TPG="-1" NSUB="7E15" NFS="1E10"
+ VMAX="12E4" PB=.7 MJ=.5 MJSW=.3 ETA=.06 THETA=.03 KAPPA=.4
上面：.MODEL为模型（xíng）定义关（guān）键（jiàn）字.
NSS 为模型名，NMOS为模型类型，LEVEL=3 表示（shì）半经验短（duǎn）沟道（dào）模型，后面RSH=0
等（děng）等（děng）为工艺参数。
(3) 电路的输入（rù）激励和源（yuán）
Hspice中的激（jī）励（lì）源分为独立（lì）源和受控源两种（zhǒng），这（zhè）里我们仅（jǐn）简单介绍独立源。独立源有独立（lì）电压源（yuán）和独立（lì）电流源两种，分别用V 和I 表示。他（tā）们（men）又分（fèn）为直流源，交流小信（xìn）号源和瞬态（tài）源，可（kě）以组合在一起使用。
(a)直流源
VXXXX N+ N- DC VALUE
IXXXX N+ N- DC VALUE
例如：VCC 1 0 DC 5v (表示节点1，0 间加电压5v)
(b)交流小信号（hào）源
VXXXX N+ N- AC >
IXXXX N+ N- AC >
其（qí）中，ACMAG 和ACPHASE 分别表示交流（liú）小信号源的幅度和相位。
例如：V1 1 0 AC 1v (表示节点（diǎn）1，0 间加交流电压幅值（zhí）1v，相位0)
(c)瞬态源
瞬态源有几种（zhǒng），以下我们均只以电压（yā）源（yuán）为例（lì），电流源类似:
* 脉冲源(又叫周期（qī）源)
VXXXX N+ N- PULSE(V1 V2 TD TR TF PW PER)
V1 初始值，V2 脉（mò）动（dòng）值，TD 延时，TR 上（shàng）升时间，TF下降时间，PW脉冲（chōng）宽度，PER 周期
例如：V1 5 0 PULSE(0 1 2NS 4Ns 4Ns 20NS 50NS)
* 正弦源（yuán）
VXXXX N+ N- SIN(V0 VA FREQ TD THETA PHASE)
V0:偏置，VA:幅度（dù），FREQ: 频率 ，TD :延（yán）迟，THETA: 阻（zǔ）尼（ní）因子，PHASE:相位
* 指数源
VXXXX N+ N- EXP(V1 V2 TD1 TAU1 TD2 TAU2)
V1初始值，V2中（zhōng）止（zhǐ）值，TD1上升延时，TAU1上升（shēng）时间常数（shù），TD2下降延时（shí），TAU2下（xià）降
时间常数（shù）
例如:V1 3 0 EXP(0 2 2ns 30ns 60ns 40ns)
* 分段线性源
VXXXX N+ N- PWL(T1 V1 )
其中每（měi）对（duì）值（zhí）(T1，V1)确（què）定了（le）时间t=T1是分段线性源的（de）值V1。
例如：Vpwl 3 0 PWL(0 1，10ns 1.5)
(4) 子（zǐ）电路
* 子电路语
句（jù）
.SUBCKT SUBNAM N1< N2 。。。>
子电（diàn）路的定义由.SUBCKT 语（yǔ）句开（kāi）始。SUBNAM是子电路名，N1< N2 。。。>是外部节点号
* 终止语句
.ENDS (表示（shì）结束子（zǐ）电路定义（yì）)
* 子（zǐ）电路调（diào）用语句（jù）
XYYYY N1< N2 。。。> SUBNAM
在Spice中调（diào）用子（zǐ）电路的方法是设定以（yǐ）字母X 开头（tóu）的伪元件名，其后是用来（lái）连（lián）接到子（zǐ）电路上
的节点号，在后面是子电路（lù）名（míng）。
例如：.SUBCKT OPAMP 1 2 3 4
具体运放电路描述
.ENDS
Xop 1 2 3 4 OPAMP (调用该运放（fàng）子电（diàn）路)
3 电路的分（fèn）析类型描述语句
分（fèn）析类型描述语句由定义电路（lù）分析类型的描述（shù）语句和一（yī）些控制语句组成，如直流分析
(.OP)，瞬（shùn）态分析（xī）(.TRAN)等分（fèn）析语句，以及初始状态设置(.IC)，选（xuǎn）择项设置(.OPTIONS)
等控制语句。它的位置可在标题语句和结束语句之（zhī）间的任何地（dì）方。
(1) .TRAN(瞬态分析语（yǔ）句（jù）)
一（yī）般形（xíng）式: .TRAN TSTEP TSTOP >
TSETP 为时间增量（liàng），TSTOP 为终止时间，TSTART 为初（chū）始时间(若不设（shè）定，则隐（yǐn）含值为0)
例如：.TRAN 1NS 10000NS 500NS (瞬态分析500—10000NS，步长为1NS)
(2).AC(交流分（fèn）析语句)
在规定的频率范围内完成电路的交流小信号分析
.AC DEC ND FSTART FSTOP (数量（liàng）级（jí）变化)
其中，DEC 为10 倍频，ND 为该范围内点的数目，FSTART初始频率，FSTOP 中止频率。
例如： .AC DEC 10 1 10K (指从1 到10KHZ范围，每个数量级取10 点，交流小
信号分析)
(3).DC(直流扫描语句)
是在指定的范围内（nèi），某一个独立源（yuán）或其他（tā）电路元器（qì）件（jiàn）参数步进变（biàn）化时（shí），计算电路（lù）滞留输
出变量（liàng）的（de）相应（yīng）变化（huà）曲线。
DC SRCNAN VSTART VSTOP VINCR <>
例（lì）如（rú）： .DC VIN 0.25 5.0 0.25 (表示电压源VIN 的值（zhí）从0。25V扫（sǎo）描到5V，每（měi）次增量
0。25V)
(4).OPTION(可选项语句)
ACCT(打印出计算和运（yùn）行时间统计)
LIST(打（dǎ）印出输入（rù）数据总清单)
NODE(打印出结点表)
NOMOD(抑制模型参数的打印输出)
具体电路的分析类型描（miáo）述语句可查阅Hspice在线帮助。
4 输出描述语句
(1) 文本（běn）打印语句.PRINT
.PRINT TYPE ov1
TYPE 为指（zhǐ）定（dìng）的（de）输出分析（xī）类型，如(DC);OV1 为（wéi）输出变量名。
例如：.PRINT DC V(5) 。
